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阿斯麦(ASML)表示已经完成1纳米级EUV极紫外光刻机的设计工作

阿斯麦(ASML)表示已经完成1纳米级EUV极紫外光刻机的设计工作

知名光刻机制造商荷兰阿斯麦日前透露该公司与比利时半导体研究机构IMEC在3 nm及以下制程在微缩层面细节。

阿斯麦目前已经对3纳米、2纳米、1.5纳米、1纳米甚至Sub 1纳米制程都做好清晰路线规划并加紧团队技术研发。

该公司称在1纳米时代光刻机的体积将会增大不少 ,因为需要配备更多更精密的零部件例如分辨率更高的曝光台。

这些先进制程工艺的光刻机目前尚未最终研发,不过在完成设计后阿斯麦将与所有技术伙伴努力推进新工艺到来。

阿斯麦同时还表示如果一切顺利的话,新款技术更为先进的极紫外光刻机将在明年年中前后交付给下游制造商们。

新机型为TWINSCANNXE:3600D , 其曝光速度可达30mJ/cm² , 每小时可曝光160片晶圆 , 生产率提高18%左右。

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